机译:混合氧化还原气体中SiC形成SiO(g)
NASA Lewis Research Center, Cleveland, Ohio 44135;
SiC; SiO; active oxidation; oxidation-reduction; kinetic modeling;
机译:电子回旋共振氢氮混合等离子体预处理SiC表面并结合后氧化退火钝化SiO2 / 4H-SiC界面缺陷
机译:富硅4H-SiC表面和初始SiO_2 / SiC界面形成的光发射研究
机译:SiC的远程等离子体辅助氧化:形成SiC-SiO2界面的低温工艺,消除了Si碳氧化物过渡区域
机译:C〜+植入到SiO_2的SiO_2 / Si接口中的外延SiC形成和随后的退火
机译:碳化硅半导体和SiC-SiO(2)界面的电特性。
机译:大气化学特点:形成气溶胶过程中混合的一级和二级有机颗粒的形态和观众有机气体的吸附
机译:气相对siO 2中siC和si 3 N 4形成的影响
机译:X射线光电子和X射线诱导的俄歇电子能谱数据,3。石墨,si,siC,si sub 3 N sub 4和siO sub 2. si3N4和siO2