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NEC,温度無依存/高消光比で動作するシリコン集積光スイッチを開発

机译:NEC开发了集成硅的光开关,该开关在与温度无关/高消光比下工作

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摘要

日本電気(NEC)は,世界で初めて次世代光ネットワークの要求に応える,高消光比かつ環境温度に依存しない光スイッチを開発したと発表した。rn消光比が大きく,環境温度の影響を受けにくい光通過・遮断特性を実現するため,光路の遮断にゲート素子2つを使う素子配置と,光を通過させる際にのみにヒータによる加熱を行なう素子配置を採用。
机译:NEC Corporation(NEC)宣布已开发出世界上第一个具有高消光比且不依赖于环境温度的光开关,从而可以满足下一代光网络的要求。为了实现消光比大且不易受环境温度影响的光通过/阻挡特性,仅在通过光时使用两个门元件来阻挡光路并通过加热器加热的元件布置。使用元素布局。

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  • 来源
    《Optronics》 |2012年第4期|p.179|共1页
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