机译:欧盟〜(3 +)离子掺杂IngaN / GaN量子点和GaN层的比较光学研究通过分子束外延生长
CEA/CNRS/UJF Research Group Nanophysique et Semiconducteurs DRFMC/SP2M/PSC CEA-Grenoble 17 rue des Martyrs 38054-Grenoble Cedex 9 France;
机译:RF等离子体辅助分子束外延生长的自组织InGaN / GaN量子点的极化效应
机译:通过分子束外延生长的Mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究
机译:分子束外延生长的InGaN / GaN自组织量子点激光器
机译:分子束外延生长的自组装Ingan / GaN量子点的结构和光学性能
机译:通过分子束外延生长的光学器件的自组装量子点的微观结构和光学性质。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:分子束外延选择性生长的纳米柱状InGaN / GaN异质结构的生长条件,形貌和光学性质之间的相关性
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。