机译:在SiN处理的蓝宝石衬底上生长的GaN层的时间分辨光致发光和光反射光谱:不同生长阶段的光学性能演变
Univ Monastir Fac Sci URHEA Monastir 5000 Tunisia;
Philipps Univ Marburg Dept Phys Renthof 5 D-35032 Marburg Germany|Philipps Univ Marburg Mat Sci Ctr Renthof 5 D-35032 Marburg Germany|King Abdullah Univ Sci & Technol Photon Lab Comp Elect & Math Sci & Engn CEMSE Div Thuwal 239556900 Saudi Arabia;
GaN; Photoreflectance; Time-resolved photoluminescence; Built-in electric field; Decay time; Mosaicity;
机译:在SiN处理的蓝宝石衬底上生长的GaN层的时间分辨光致发光和光反射光谱:不同生长阶段的光学性能演变
机译:A平面蓝宝石上生长的GaN外延层和GaN-AlGaN量子阱的连续波和时间分辨光谱
机译:低温GaN缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比对MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a-GaN膜的结构和光学性能的影响
机译:在图案化的AGOG衬底上以缩写生长模式生长的III型氮化物发光二极管的生长演化和时间分辨光致发光研究
机译:砷化镓衬底被误切对砷化铟量子点光电性能的影响:通过光反射(PR)和深能级瞬态光谱(DLTS)检查。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:蓝宝石和硅基板上生长的蓝色发光结构和光学性质的比较