机译:使用高k介电材料增强IngaN / GaN发光二极管的发光功率和效率
机译:在“绿色间隙”范围内实现高发光效率的InGaN发光二极管
机译:具有u-InGaN / AlInGaN超晶格最后量子势垒的InGaN发光二极管的效率增强
机译:具有InGaN底层的紫外线InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光效率的提高
机译:具有增强的发光效率和高色渲染的白色发光二极管,使用分离量子点@二氧化硅/磷光体结构
机译:在生物有机发光二极管中使用DNA电子阻挡层提高了发光效率和亮度。
机译:在绿色间隙范围内实现高发光效率的InGaN发光二极管
机译:非极性GaN材料的生长和表征以及InGaN发光二极管的效率下降
机译:交错InGaN量子阱发光二极管提高辐射效率。