温度無依存で高オンオフ比動作するシリコン集積光スイッチを開発

摘要

NECは、シリコン光集積回路技術を利用して、高いオンオフ比（消光比）と環境温度に依存しない特性を有する光スイ、ソテを開発した。同光スイッチは、LSI製造向け標準CMOSプロセスを活用して形成したシリコン光導波路をべースに、ヒータによる局所加熱で光路を制御する微小な素子152個を集積化し、入射8ポート/出射8ポートの問の光経路を自由に設定する機能を16mm×12mmのチ、ソプ上で実現。