机译:注入能量对二氧化硅中模板掩蔽的超低能量离子束合成局部制备的硅纳米晶体光致发光光谱的影响
Universite de Toulouse, 1NSA, UPS. CNRS. LPCNO, 135 Avenue de Rangueil, F-31077 Toulouse, France,Universite de Toulouse, CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France;
Universite de Toulouse, CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France;
Universite de Toulouse, CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France;
Universite de Toulouse, CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France;
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Institute of Microelectronics, NCSR 'Demokritos', 75310 Aghia Praskevi, Greece;
Institute of Microelectronics, NCSR 'Demokritos', 75310 Aghia Praskevi, Greece;
Universite de Toulouse, CEMES-CNRS, 29 Rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France;
ion-beam processing; nanostructure; memory;
机译:用于非易失性存储应用的超低能离子束合成在硅纳米晶体制造中的处理问题
机译:用于存储器应用的ALD Al_2O_3薄层中Ge纳米晶体的超低能离子束合成
机译:通过超低能离子束合成技术制造用于非易失性存储器的纳米晶体
机译:含Si纳米晶的Er3 +注入二氧化硅薄膜的光致发光特性
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:由于纳米晶体薄膜的近场能量流入单层MoS2光致发光的数量级增强
机译:离子注入制备siO2中si纳米晶的光致发光机理:纳米晶与氧的相互作用