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机译:外延碳化硅探测器对电子,质子和伽马射线的辐射耐受性
INFN and Dipartimento di Fisica, Universita di Modena e Reggio Emilia, Via G. Campi 213/ A, I-41100 Modena, Italy;
radiation hardness; device simulation; silicon carbide; semiconductor detectors; charge―particle spectroscopy;
机译:外延碳化硅探测器对电子和γ射线的辐射耐受性
机译:外延硅探测器在非常大的质子注量下的辐射耐受性
机译:使用碳化硅半导体探测器同时测量TRIGA反应堆堆芯的中子和伽马射线辐射水平
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机译:改进的N型4H-SiC外延层辐射探测器和前端读出电子设备的噪声分析
机译:碳化硅微带辐射探测器
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