机译:高缺陷浓度,辐射,高电阻率和半绝缘材料制成的半导体二极管的建模:电流-电压特性
Departement d'Electronique, B.P. 145, Universite de Biskra, Biskra 07000, Algeria;
serai-insulating; semi-conductor; diode; radiation damage; modelling;
机译:高缺陷浓度,辐射,高电阻率和半绝缘材料制成的半导体二极管的建模:内部场
机译:高缺陷浓度,高辐射,高电阻率和半绝缘材料制成的半导体二极管的建模:电容-电压特性
机译:高纯半绝缘4H-SiC的固有缺陷对肖特基势垒二极管反向电流电压特性的影响
机译:自然点缺陷对中子辐照半绝缘GaAs上二极管性能的影响
机译:模拟许多谷电子散射对谐振隧穿二极管的电流-电压特性的影响。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:基于具有单极阻挡层的II型Inas / Gasb超晶格二极管的红外光电探测器的电流 - 电压特性建模