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机译:大容量HPGe检测器的表征。第一部分:电子和空穴迁移率参数化
Institut fuer Kernphysik, Universitaet zu Koeln ZuelpicherStr. 77, D-50937 Koeln, Germany;
gamma ray instruments; position-sensitive germanium detectors; pulse shape analysis; anisotropic mobility;
机译:大容量HPGe检测器的表征。第二部分:实验结果
机译:无应变和应变Si MOSFET中表面粗糙度散射限制电子和空穴迁移率的界面粗糙度新表征方案
机译:各向异性谱带中电子和空穴的霍尔表征的定量迁移谱分析(QMSA)
机译:MOS累积层中电子和孔迁移率的温度特征及建模
机译:HPGe检测器的位置感应接近电荷感应读数。
机译:肖特基CdTe二极管中电子和空穴的迁移率和寿命的测量
机译:高迁移率2D半导体的最佳电子结构:2D锑中的异常高空穴迁移率
机译:半导体量子阱中的电子空穴散射和电子的负绝对迁移率,