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机译:非电离辐射照射的单片有源像素传感器(MAPS)的电荷收集特性
J. W. Goethe Universitaet, Max-von-Laue-Str. 1, D-60438 Frankfurt/Main, Germany;
Monolithic Active Pixel Sensors; MAPS; CMOS; radiation hardness;
机译:X射线辐射的整体式有源像素传感器的电荷收集特性
机译:使用HV-SOI工艺的耗尽型单块有源像素传感器的电荷收集特性
机译:用于ALICE ITS升级的单片有源像素传感器中电荷收集过程的蒙特卡罗模拟
机译:严重辐射的DNW MAPS的前端性能和电荷收集特性
机译:为CMS实验研究辐射对像素传感器的影响,并为LHC升级的未来升级设计辐射硬传感器。
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:使用HV-SOI过程的耗尽单片活动像素传感器的充电收集属性