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机译:同轴HPGe p型探测器死区厚度增加对效率降低的影响
Faculty of Fundamental Sciences, Ho Chi Minn City University of Industry, 12 Nguyen Van Bao Street, Ward 4, Co Vap District, Ho Chi Minh City, Vietnam;
HPGe detector; dead layer; efficiency decrease; MCNP5 code; gamma spectrometry;
机译:用于三种HPGe检测器的全能量峰值效率校准的Monte Carlo效率传递方法:同轴N型,同轴P型和四个BEGe检测器
机译:蒙特卡洛分析锗死层厚度对使用扩展源测量的HPGeγ探测器实验效率的影响
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机译:蒙特卡罗模拟研究HPGE探测器死层厚度的变化及其对探测器响应和样品表征测量的影响
机译:卡尔斯鲁厄(Karlsruhe)t实验:探测器系统调试和就地PIN二极管阵列死层测量。
机译:化学p型掺杂的活性有机半导体对花青/ C60双层太阳能电池膜厚度和性能趋势的影响
机译:确定p型点接触中电荷载流子的漂移时间 HpGe探测器
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