韓国samsung Electronics Co., Ltd.30nm以降の負荷を450mmで輝減

摘要

30nm世代以降，DRAMやフラッシュ・メモリ ーの製造コストは微細化に伴って急激に上昇す る。新たな材料や構造，先端リソグラフィ技術を 導入するためである。コストを低減し続けるため には，微細化以外の手法を採り入れなければなら ない。それが，ウエーハの大口径化だ。