“システム・オン・パネル”を目指しレーザー・アニールとイオン・ドーピングを駆使

摘要

液晶パネルにドライバやメモリー，センサーなどの機能回路を一体化する技術rnは，液晶パネル各社が高付加価値化の切り札として開発を進めてきた。その中rn心が低湿多結晶Si（p-Si）TF一枝術である。町こ表示領域周辺部への回路集積化rnが実現された。今後は，パネルの大部分の面積を占める表示領域に入力デバイrnスや画素内メモリーを集積化することでパネルの超低消費電力化を実現し，他rnのFPDとの差異化を図っていく。本号では，この低層p-Siを実現する上で重要rnな技術であるレーザー・アニールとイオン・ドーピングについて解説するととrnもに，低温p-Si TFT液晶の応用展開を示す。