30nm以下の欠陥を検出する技術暗視野と明視野の2方式が競演

摘要

30nm以降のプロセスを使うLSI向け欠陥検査技術が，相次いで登場してきた。rn従来なら欠陥とならなかった30nm以下の微小欠陥を観察できるようにする。こrnのような欠陥のうち，LSIの製造歩留まりを左右する重要欠陥には，Siウエーハrn上の異物，平坦化工程でできる微細な傷（シヤロー・スクラッチ），Siウエーハ内rnの活性領域の結晶欠陥がある。これらの検査技術として，暗視野で反射光を利rn用する方式と，明視野で散乱光を利用する方式が，市場で競い始めている。これrnら2方式の検査技術を紹介する。