...
首页> 外文期刊>Neurocomputing >A spiking and bursting neuron circuit based on memristor
【24h】

A spiking and bursting neuron circuit based on memristor

机译:基于忆阻器的突跳神经元电路

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

In this paper, we propose two emulator circuits. Firstly, we present a novel memristor emulator based on operational transconductance amplifier (OTA) which is different from classical TiO2 memristor. This memristor emulator has a threshold switching mechanism. Secondly, we create a novel neuron circuit using proposed memristor, which is capable of generating spiking and bursting firing behaviors, with a biologically plausible spike shapes. The behavior of this neuron circuit can be adjusted by changing only one external biasing voltage. This neuron circuit mimics the behavior of cortical neurons, such as regular spiking (RS), intrinsic bursting (IB), chattering (CH) and fast spiking (FS). Proposed emulator circuits are compatible with. VLSI systems and they can also be implemented by using discrete circuit components for different applications. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:在本文中,我们提出了两个仿真器电路。首先,我们提出了一种与传统的TiO2忆阻器不同的,基于运算跨导放大器(OTA)的新型忆阻器仿真器。该忆阻器仿真器具有阈值切换机制。其次,我们使用提出的忆阻器创建了一种新型的神经元电路,该忆阻器能够产生尖峰和脉冲放电行为,并具有生物学上合理的尖峰形状。该神经元电路的行为可以通过仅改变一个外部偏置电压来调节。该神经元回路模仿了皮质神经元的行为,例如规则尖峰(RS),固有爆发(IB),颤动(CH)和快速尖峰(FS)。建议的仿真器电路与之兼容。 VLSI系统以及它们也可以通过使用分立电路组件用于不同应用来实现。 (C)2016 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号