СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В МДП-СТРУКТУРАХ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ФИЗИЧЕСКИХ ОСНОВ КМОП-ТЕХНОЛОГИЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

摘要

Представлены некоторые результаты экспериментальных исследований последних лет новых материалов подзавторных диэлектриков и затворов для полевых МОП-транзисторов на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических слоев, соответственно. Кратко описана лабораторная технология изготовления функционального полевого транзистора на основе структуры TaN/LaAlO_3/Si.