首页> 外文期刊>Микроэлектроника >НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ИМПУЛЬСНОЕ ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО РУТЕНИЯ ДЛЯ МИКРО-И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. ЧАСТЬ 6. СОСТАВ СЛОЕВ РУТЕНИЯ
【24h】

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ИМПУЛЬСНОЕ ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО РУТЕНИЯ ДЛЯ МИКРО-И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. ЧАСТЬ 6. СОСТАВ СЛОЕВ РУТЕНИЯ

机译:用于微电子和纳米电子的金属钌薄层的低温脉冲气相沉积。第6部分。钌层的组成

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Проанализирован состав тонких слоев рутения, синтезированных при импульсном осаждении из газовой фазы с участием комплексного карбон ил-диенового прекурсора Ru(CO)_3(C_6H_8), а также NH_3, N_2O, H_2 в качестве второго реагента. Сформулированы схемы процессов роста низкотемпературных слоев рутения, объясняющие роль вторых реагентов в ходе процессов осаждения.
机译:分析了通过脉冲气体气相沉积法合成的钌薄层的组成,其中包括复杂的碳基二烯前驱体Ru(CO)_3(C_6H_8),以及NH_3,N_2O,H_2作为第二试剂。制定了低温钌层生长过程的方案,该方案解释了第二种试剂在沉积过程中的作用。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号