ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ОСОБЕННОСТЕЙ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ FRAM, ПОЛУЧЕННЫХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССОВ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

摘要

Представлены результаты исследований структурных и электрических свойств материалов на основе оксида гафния, выращенных методом АСО, показана возможность и перспективы использования их наноразмерных пленок в элементах энергонезависимой памяти типа FRAM. Продемонстрирована возможность масштабирования элементов FRAM до субмикронных размеров с сохранением сегнетоэлектрических свойств.