ИЗУЧЕНИЕ ВЛИЯНИЯ ШАГА ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ НА ШЕРОХОВАТОСТЬ СТЕНОК КАНАЛА Fin FET В СХЕМЕ ГЕТЕРОИНТЕГРАЦИИ

摘要

Обсуждается природа возникновения шероховатости стенок канала Рт РЕТ в схеме гетероинтегра-ции. Показано, что ее появление обусловлено исходной шероховатостью стенок Si "фин"-структур, возникающей на шаге плазменного травления. Проанализирован ряд технологических приемов, воздействующих на морфологию боковой поверхности Si "фин"-структур. К таким приемам относятся сглаживание полимерной резистивной маски в НВг-содержащей плазме, распределенный тримминг в составе многослоевой маски, а также управление температурным режимом.