ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА С ПОМОЩЬЮ in situ ОПТИЧЕСКОГО МОНИТОРИНГА

摘要

Исследованы особенности травления фоторезиста в индуктивно-связанной плазме в разных режимах, включая режим, используемый для травления структур на основе GaN. Непрерывный in situ контроль толщины фоторезиста, морфологии поверхности и температуры подложки осуществлялся с помощью оптической рефлектометрии и низкокогерентной интерферометрии. Показано, что скорость травления фоторезиста не постоянна, а уменьшается в ходе процесса, что помимо всего прочего связано с разогревом подложки. Выявлено, что импульсный режим травления позволяет исключить развитие шероховатости, наблюдаемое в непрерывном режиме. Сравнение полученных данных о скоростях травления фоторезиста с характерными скоростями травления GaN, проводимого в тех же условиях, позволило определить технологические параметры и толщину фоторезиста, необходимые для проведения указанного процесса травления в оптимальном режиме.