首页> 外文期刊>Микроэлектроника >РАЗРАБОТКА МАРШРУТА ПРОЕКТИРОВАНИЯ МНОГОПОРТОВЫХ РЕГИСТРОВЫХ ФАЙЛОВ, ВКЛЮЧАЮЩЕГО БИБЛИОТЕКУ ЭЛЕМЕНТОВ И КОМПИЛЯТОРА НА ЕЕ ОСНОВЕ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ КНИ 0.25 МКМ
【24h】

РАЗРАБОТКА МАРШРУТА ПРОЕКТИРОВАНИЯ МНОГОПОРТОВЫХ РЕГИСТРОВЫХ ФАЙЛОВ, ВКЛЮЧАЮЩЕГО БИБЛИОТЕКУ ЭЛЕМЕНТОВ И КОМПИЛЯТОРА НА ЕЕ ОСНОВЕ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ КНИ 0.25 МКМ

机译:用于KNI 0.25 MKM技术的多端口注册表文件设计路线的开发,包括元素库和基于该程序的编译器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

В процессе разработки высокопроизводительной системы на кристалле стандартный маршрут проектирования, как правило, включает использование программ-компиляторов памятей, предлагаемых под выбранную технологию поставщиками систем автоматического проектирования (САПР). Данные программы позволяют автоматически генерировать все необходимые файлы-представления блоков памяти на основе их конфигурации, задаваемой пользователем. Однако для технологии кремний-на-изоляторе (КНИ) 0.25 мкм, применяемой в НИИСИ РАН, таких программ не существовало. При этом разрабатываемые по данной технологии микросхемы имеют в своем составе обширную номенклатуру памятей различных типов, в том числе и регистровых файлов. Авторами данной статьи был предложен новый способ реализации многопортовой ячейки памяти, на который был получен патент. Вместе с ней была разработана схемотехническая и топологическая библиотека базовых ячеек для создания регистровых файлов с различным количеством портов чтения и записи. А на основе библиотеки — маршрут проектирования и программа, обеспечивающие генерацию основных файлов-представлений в автоматическом режиме.
机译:在芯片上开发高性能系统的过程中,通常,标准设计路线包括使用自动设计系统(CAD)的供应商针对所选技术提供的内存编译器程序。这些程序允许您根据用户指定的配置自动生成所有必要的文件,即存储块的表示形式。但是,对于在NIISI RAS上使用的0.25μm的绝缘体上硅(SOI)技术,则不存在此类程序。同时,使用该技术开发的微芯片包括范围广泛的各种类型的存储器,包括寄存器文件。本文的作者提出了一种用于实现多端口存储单元的新方法,该方法已获得专利。与之一起,开发了基本单元的电路和拓扑库,以创建具有不同数量的读写端口的寄存器文件。在该库的基础上,提供了一种设计路线和一个程序,用于以自动模式生成基本演示文件。

著录项

  • 来源
    《Микроэлектроника》 |2017年第1期|72-80|共9页
  • 作者单位

    ФГУФНЦ НИИСИ Российской АН, Россия, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., 36, к. 1;

    ФГУФНЦ НИИСИ Российской АН, Россия, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., 36, к. 1;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号