ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

摘要

Исследованы возможности метода спектральной эллипсометрии для прецизионных измерений при разработке и исследовании технологических процессов атомно-слоевого осаждения в микроэлектронике. Показана применимость метода для тонких диэлекрических слоев приборов микроэлектроники. Приведены результаты измерений in situ для процессов плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения оксидов алюминия, тантала, гафния и циркония на поверхности монокристаллического кремния (100). Точность метода позволяет измерять скорость роста за цикл и наблюдать адсорбцию прекурсора и его десорбцию в зависимости от температуры образца. Полученные результаты могут быть применены для оптимизации и теоретических исследований процессов атомно-слоевого осаждения диэлектриков в высокоаспектные структуры.