首页> 外文期刊>Микроэлектроника >ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОРИСТОСТИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ АНОДОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ НА ИХ ЗАРЯДНО-РАЗРЯДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
【24h】

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОРИСТОСТИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ АНОДОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ НА ИХ ЗАРЯДНО-РАЗРЯДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

机译:基于硅对其充电和放电特性的薄膜阳极孔隙孔隙率对其充电和放电特性的实验研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Исследуется влияние пористости на зарядно-разрядные характеристики тонких пленок на основе нанокомпозита Si-O-Al с двумя типами структуры - однородной и столбчатой. Дополнительное увеличение пористости тонких пленок Si-O-Al, достигается удалением фазы SiO_x, где 1 < x ≤2, при травлении в растворе плавиковой кислоты. Зарядно-разрядные характеристики пленок исследовались в макетах полуэлементов в гальваностатическом режиме. Показано, что обработка пленок, имеющих столбчатую структуру, приводит к увеличению их удельной емкости и стойкости при экстремальных режимах заряда-разряда.
机译:孔隙率对基于Si-O-Al纳米复合材料的薄膜充电 - 放电特性的影响是均匀的和柱状的。通过除去SiO_x相,在氢氟酸溶液中蚀刻时,通过去除SiO_x相来额外增加薄Si-o-Al膜的孔隙率的额外增加。在Galvanostatic模式中的半元素的布局中研究了膜的充电特性。结果表明,具有柱状结构的薄膜的处理导致它们的特定容量和具有极低电荷放电模式的耐久性的增加。

著录项

  • 来源
    《Микроэлектроника》 |2021年第1期|49-57|共9页
  • 作者单位

    Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской АН Ленинский пр. 31;

    корп. 4;

    г Москва 119071 Россия;

    Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;

    Ярославский филиал физико-технологического института им К.А. Валиева Российской АН;

    ул. Университетская 21 г. Ярославль 150007 Россия;

    Ярославский филиал физико-технологического института им К.А. Валиева Российской АН;

    ул. Университетская 21 г. Ярославль 150007 Россия;

    Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской АН Ленинский пр. 31;

    корп. 4;

    г Москва 119071 Россия Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;

    Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;

    Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号