机译:基于硅对其充电和放电特性的薄膜阳极孔隙孔隙率对其充电和放电特性的实验研究
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской АН Ленинский пр. 31;
корп. 4;
г Москва 119071 Россия;
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;
Ярославский филиал физико-технологического института им К.А. Валиева Российской АН;
ул. Университетская 21 г. Ярославль 150007 Россия;
Ярославский филиал физико-технологического института им К.А. Валиева Российской АН;
ул. Университетская 21 г. Ярославль 150007 Россия;
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской АН Ленинский пр. 31;
корп. 4;
г Москва 119071 Россия Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;
Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова ул. Советская 14 г Ярославль 150000 Россия;