МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ПЕРЕХОДНЫХ ОТВЕРСТИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ МИКРОСТРУКТУР

摘要

Исследованы процессы электрохимического осаждения меди в матрицу вертикальных отверстий разного диаметра (500-2000 нм) в подложках Si/SiO_2 с барьерным слоем TiN на дне отверстий. Морфологические исследования металла в отверстиях показали, что структура кластеров меди достаточно однородна и формируется из кристаллитов размером ～30-50 нм. Повторяемость и стабильность при однородной структуре и 100%-ной степени заполнения отверстий Си определяют перспективу применения системы Si/SiO_2/Cu в качестве базового элемента для создания трехмерных микро- и наноструктур, и для 3D сборки кристаллов ИМС.