...
首页> 外文期刊>Микроэлектроника >МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ПЕРЕХОДНЫХ ОТВЕРСТИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ МИКРОСТРУКТУР
【24h】

МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ПЕРЕХОДНЫХ ОТВЕРСТИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТРЕХМЕРНЫХ МИКРОСТРУКТУР

机译:硅板中过渡孔的金属化,用于产生三维微结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Исследованы процессы электрохимического осаждения меди в матрицу вертикальных отверстий разного диаметра (500-2000 нм) в подложках Si/SiO_2 с барьерным слоем TiN на дне отверстий. Морфологические исследования металла в отверстиях показали, что структура кластеров меди достаточно однородна и формируется из кристаллитов размером ~30-50 нм. Повторяемость и стабильность при однородной структуре и 100%-ной степени заполнения отверстий Си определяют перспективу применения системы Si/SiO_2/Cu в качестве базового элемента для создания трехмерных микро- и наноструктур, и для 3D сборки кристаллов ИМС.
机译:研究了在孔底部的锡屏障层的不同直径(500-2000nm)中垂直孔的垂直孔中的垂直孔的垂直孔(500-2000nm)的电化学沉淀过程。孔中金属的形态学研究表明,铜簇的结构足够均匀,由尺寸为约30-50nm的微晶形成。通过使用Si / SiO_2 / Cu系统作为基础元件的前景来确定均匀结构和100%填充孔C下的可重复性和稳定性,以产生三维微型和纳米结构,以及ISR晶体的3D组装。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号