МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК КМОП НАНОТРАНЗИСТОРА С ПОЛНОСТЬЮ ОХВАТЫВАЮЩИМ ЗАТВОРОМ И НЕРАВНОМЕРНО ЛЕГИРОВАННОЙ РАБОЧЕЙ ОБЛАСТЬЮ

摘要

Обсуждаются вопросы моделирования основных электрофизических характеристик полностью обедненных КМОП нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором и неравномерно легированной рабочей областью. Анализируется случай гауссового распределения примеси в радиальном направлении с максимумом в центре рабочей области. Рассматривается математическая модель распределения потенциала, вытекающая из аналитического решения 2D уравнения Пуассона. Результаты модельных расчетов распределения потенциала суб-50 нм структур находятся в хорошем соответствии с данными, полученными при помощи коммерчески доступного программного пакета ATLAS™ предназначенного для 2D моделирования транзисторных структур. На основании полученных распределений потенциала вычисляются токовые характеристики при помощи апробированного подхода сформулированного в рамках зарядового разделения. Для выбранных топологических норм оптимизация крутизны профиля легирования предоставляет дополнительную возможность управления ключевыми характеристиками наряду с радиусом рабочей области и толщиной подзатворного окисла, что важно при анализе применимости анализируемых нанотранзисторных структур.