Представлен обзор развития отечественных ионно-лучевых технологий. Показано, что широкому применению ИЛТ способствовало: создание метода компенсации положительного объемного заряда внутри ускоряющего промежутка источника ионов отрицательным объемным зарядом электронов, удерживаемых в скрещенных электрическом и магнитном полях, что позволило повысить плотность отбираемого ионного тока в десятки раз сверх ограничений, накладываемых законом Чайльда-Ленгмюра; разработка оригинальных источников ионов с холодным катодом, формирующих пучки практически из любых соединений; создание метода реактивного ионно-лучевого травления, обладающего прецизионностью травления пучками ионов инертных газов и селективностью жидкостного травления. На основе этих достижений был разработан ряд модификаций источников ионов и технологического оборудования для применения в производстве изделий микро- и нано-электроники, оптики, пьезокварцевой техники, в медицине и других областях промышленности. Показаны пути совершенствования ИЛТ путем создания источников быстрых нейтральных частиц и технологий с их применением.
展开▼
