机译:漏极电压对基于InP的伪非晶HEMT的沟道温度和可靠性的影响
机译:基于INP的HEMTS的排水阻力偏向加速和HEMT-ICS的可靠性研究
机译:基于INP的HEMTS的排水阻力偏向加速和HEMT-ICS的可靠性研究
机译:基于INP的底部血管血管和可靠性研究的偏移加速度
机译:高性能的基于InP的HEMT,带有分级伪通道
机译:高压氮化镓mos沟道hemts。
机译:具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
机译:低温下0.lum至0.4um栅极长度的假晶Al0.22Ga0.78As / In0.2Ga0.8As / GaAs HEMT的低漏极偏置操作
机译:具有亚毫米波Inp的HEmT的高性能mmIC