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机译:借助紧凑模型和电路仿真对功率MOSFET进行可靠性分析
Siemens AG, CT MS4 10-493, Otto-Hahn-Ring 6, 81730 Munich, Germany;
机译:借助紧凑模型和电路仿真对功率MOSFET进行可靠性分析
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机译:紧凑的可靠性模型,用于电路仿真中由于NBTI和热载流子效应而导致的高级p-MOSFET退化
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:潜在增长曲线模型中边坡变化的精度可靠性和影响大小:对统计功效分析的启示
机译:SiC和CoolMOS功率MOSFET中的双极闩锁的紧凑电热可靠性建模和实验表征