机译:正向和反向电应力下InGaN / GaN发光二极管中的缺陷产生
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机译:使用电反向连接的p-肖特基二极管和p-InGaN-GaN超晶格的高输出功率GaN基发光二极管
机译:大功率InGaN / GaN发光二极管在电应力下的老化机理
机译:在通过电化学和光电化学蚀刻相结合的多孔GaN模板上生长的GaN膜和GaN / InGaN发光二极管的电学和结构特性
机译:缺陷对GaN / InGaN基发光二极管的电和光学特性的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:Si衬底独立式GaN上ingaN / GaN蓝发光二极管向前隧穿特性研究