机译:干涉映射法研究短时大电流应力下垂直DMOS晶体管的内部行为
Institute for Solid State Electronics, Vienna University of Technology, Floragasse 7, A-1040 Vienna, Austria;
机译:使用紧凑型瞬态干涉图绘制系统对热不稳定状态下的智能功率DMOS晶体管进行热成像
机译:具有过程感应应力增强的垂直LOCOS DMOS晶体管的理论分析
机译:集成垂直DMOS晶体管在100ns TLP应力下的动力学
机译:具有过程应力增强的垂直LOCOS DMOS晶体管的理论分析
机译:III-As / N极性III-N晶片键合异质结及其在电流孔径垂直电子晶体管中的实现
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:ESD对低功率垂直DMOS N沟道晶体管的辐射响应的影响
机译:垂直DmOs晶体管的建模与逻辑应用