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Reliability Evaluation and Redesign of LNA

机译:LNA的可靠性评估和重新设计

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摘要

A device degradation model reported in our previous work is used for circuit-level reliability evaluation. The sub-circuit model can successfully describe both the DC and AC device degradation characteristics under hot-carrier stress. An analysis on Low Noise Amplifier (LNA) vulnerable to hot carrier is discussed and evaluated. The circuit performance degradation predicted by this sub-circuit model shows fairly good agreement with measurement results.
机译:我们先前工作中报告的器件性能下降模型用于电路级可靠性评估。子电路模型可以成功描述热载流子应力下的直流和交流器件的退化特性。对易受热载流子影响的低噪声放大器(LNA)进行了分析和评估。该子电路模型预测的电路性能下降表明与测量结果相当吻合。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics & Reliability》 |2004年第11期|p.1727-1732|共6页
  • 作者单位

    Microelectronics Laboratory, Semiconductor Technology Application Research (STAR) Group, Department of Electrical Engineering, National Tsing-Hua University, Hsin-Chu 300, Taiwan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

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