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机译:实现低于50 nm体MOSFET的局部光晕轮廓的设计策略
Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang Fu Road, Hsinchu 300, Taiwan, ROC;
机译:优化源/漏扩展区轮廓以抑制具有高kappa栅极电介质的50 nm以下DG MOSFET中的短沟道效应
机译:多层栅电极功函数工程凹陷沟道(MLGEWE-RC)50 nm以下MOSFET的研究:一种新颖的设计
机译:用于高速逻辑和开关应用的50 nm以下L-DUMGAC MOSFET设计的通态和RF性能研究
机译:局部重掺杂晕圈轮廓的设计策略,以实现低于50 nm的体MOSFET
机译:用于子50 NM应用的新型自对准平面包装门SOI MOSFET
机译:用于成像引导的核内放射增敏的智能亚50纳米核靶向纳米热成像系统的设计
机译:采用亚50nm双栅mOsFET独立栅极控制的高性能读出放大器设计