...
机译:器件几何形状和掺杂策略对Si / SiGe MODFET中的线性度和RF性能的影响
Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT, UK;
机译:离子注入埋入p阱掺杂改善了Si / SiGe n-MODFET中的DC和RF性能
机译:高性能0.1 / spl mu / m栅极长度的p型SiGe MODFET和MOS-MODFET
机译:掺杂分布对埋沟道SiGeC / Si异质结构MOS器件潜在性能的影响
机译:针对高线性度RF应用的亚100 nm以下Si / SiGe MODFET的优化
机译:延伸横向掺杂突变对深亚微米器件性能的影响。
机译:铜掺杂对基于La的RRAM器件性能的影响
机译:用于高线性RF应用的亚100nm si / siGe mODFET的优化