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机译:通过线性和递归网络表示SiGe HBT的热阻
Laboratoire de Microelectronique IXL, UMR 5818, University of Bordeaux I, 33405 Talence, France;
机译:不同阻抗匹配条件下SiGe HBT的结构和频率依赖性线性特征
机译:BEOL金属的热渗透深度分析及其对SiGe HBT热阻的影响
机译:通过提取热阻自热表征SiGe:C HBT
机译:谐波阻抗对SiGe HBT中线性度影响的一般分析
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
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