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机译:通过抑制W插头通孔中的小孔的产生来提高可靠性
Department of Electronics Engineering, University of Incheon #177 Dohwa-dong Namgu, Inchon, 402-749, Korea;
机译:钨和铝通孔的电迁移可靠性以及交流电流应力下的改进
机译:通过适当的HfAlO / HfON厚度和烧结温度抑制超低EOT Ge MOS器件的栅极泄漏电流并提高可靠性
机译:新型F形三栅极结构,可抑制弯折效应并改善低温多晶硅薄膜晶体管的热载流子可靠性
机译:钛分层改善W-plug通孔的电迁移可靠性
机译:对3D集成电路中通过硅通孔的热应力和可靠性的缩放和微观结构效应
机译:硅通孔在传感器应用中的热机械可靠性风险研究
机译:使用分布代的分配系统的客户可靠性改进和减少电力损失
机译:钨和铝通孔的电迁移可靠性及其在aC电流应力下的改善