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机译:渐进电应力降解高K LA_2O_3门介电常数
Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Spain;
机译:N或/和Ti掺入高k La_2O_3栅极电介质的Ge金属-氧化物-半导体电容器的电性能
机译:通过在有/无N_2环境下溅射的La_2O_3中间层改善具有高k HfO_2栅极电介质的Ge金属氧化物半导体电容器的电性能
机译:Si表面氮化对(La_2O_3)_(0.5)(SiO_2)_(0.5)高k栅介电膜的界面结构和电性能的影响
机译:以La_2O_3为缓冲层的高K层栅门介电薄膜的电学特性。
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:通过后退火实现具有高k Al2O3栅极电介质的溶胶-凝胶IGZO晶体管的电气性能的改善
机译:具有不同覆盖角度的高k栅极电介质对栅极 - 全场场效应晶体管电特性的影响:仿真研究