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机译:EEPROM设备中的氧化物电荷测量
Laboratoire et Expertises, CNES, 18 avenue Edouard Belin, 31401 Toulouse cedex 9, France;
机译:带有大量氧氮化隧道氧化物薄膜的闪存EEPROM中捕获氧化物电荷的测定
机译:隧道氧化物浮栅EEPROM器件的退化及其与高场电流引起的薄栅氧化物退化的关系
机译:激光定时探针在EEPROM器件中感应程序电荷的用途
机译:多晶硅掺杂和氧化条件对EEPROM器件隧道氧化性能的影响
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:基于金属氧化物和氢氧化物的水性超级电容器:从电荷存储机制和功能电极工程到需要量身定制的设备
机译:用于SONOS闪存EEPROM的全面的陷阱电荷分析技术
机译:mOs(金属氧化物半导体)器件中陷阱电荷积累的偏压和氧化层厚度依赖性