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机译:嵌入式沟道结构n-MOSFET的可靠性
Samsung Electronics, San#16 Banwol-Ri, Taean-Eup Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea;
机译:具有凹陷LOCOS隔离结构的窄沟道和宽沟道n-MOSFET中的热载流子退化机制
机译:等离子体诱导的硅凹陷结构对n-MOSFET性能下降的影响
机译:使用栅极凹陷(GR)结构改善SOI n-MOSFET的击穿电压
机译:使用III-V型化合物半导体通道对纳米级n-MOSFET进行建模:从带结构,静电和传输的高级模型到TCAD
机译:学龄前儿童在自由运动课和结构性游戏课前后身体活动水平和注意力的差异。
机译:学龄前儿童在自由玩耍和结构性玩耍休息期间身体活动水平的差异
机译:双凹槽结构硅通道中的强耦合多点特性