机译:p沟道功率VDMOSFET中的负偏置温度不稳定性机制
Faculty of Electronic Engineering, University of Nis, Aleksandra Medvedeva 14, 18000 Nis, Serbia and Montenegro;
机译:p沟道功率VDMOSFET的负偏置温度不稳定性:可恢复与永久退化
机译:顺序受压和退火的p沟道功率VDMOSFET中的负偏置温度不稳定性
机译:P通道功率VDMOSFET的脉冲负偏置温度应力效应
机译:负偏置温度不稳定性对P沟道功率VDMOSFET的寿命影响
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响