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机译:关于PHEMT中的状态击穿及其温度依赖性
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, University of Parma Parco Area delle Scienze 181A, 43100 Parma, Italy;
机译:PHEMT的温度相关击穿和热载流子应力
机译:E-模式电源pHEMT的第二个故障和安全操作区域
机译:E-模式电源pHEMT的第二个故障和安全操作区域
机译:Ingap / Ingaas / GaAs Phemts的温度依赖性
机译:高温下聚合物薄膜的击穿强度。
机译:不同温度下XLPE-PS复合材料直流击穿性能的交联依赖性
机译:限制双掺杂pHEmT操作的击穿机制缩小到亚100nm尺寸
机译:采用低温Gaas缓冲液增强的高性能0.15微米 - 栅极长度pHEmT