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On state breakdown in PHEMTs and its temperature dependence

机译:关于PHEMT中的状态击穿及其温度依赖性

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摘要

This work shows results of temperature-dependent (from -40℃ to 140℃) on-state breakdown characterization of commercial PHEMTs from two vendors. Our data shows that in both samples impact ionization in the channel dominates the breakdown phenomenon and that a classical and simple analytical model can describe it with good accuracy. We have observed negligible temperature dependence of impact ionization in one of the samples, while the other shows moderate reduction of impact ionization with increasing temperature.
机译:这项工作显示了来自两家供应商的商用PHEMT的温度依赖性(从-40℃到140℃)状态导通击穿特性的结果。我们的数据表明,在两个样品中,通道中的碰撞电离都主导着击穿现象,并且经典而简单的分析模型可以很好地描述它。我们已经观察到其中一个样品中碰撞电离的温度依赖性可忽略不计,而另一个样品显示随温度升高,碰撞电离的适度降低。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics & Reliability》 |2005年第11期|p.1605-1610|共6页
  • 作者

    P. Cova; N. Delmonte; R. Menozzi;

  • 作者单位

    Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, University of Parma Parco Area delle Scienze 181A, 43100 Parma, Italy;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

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