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机译:静态和动态降级对SOI“智能切割”浮体MOSFET的影响
National and Kapodistrian University of Athens, Physics Dept., Panepistimioupolis, Athens 15784, Greece;
机译:基于表面和体电位统一区域建模的部分/动态/完全耗尽的DG / SOI MOSFET的浮体效应
机译:7.5 MeV质子辐照对超薄栅氧化物FD-SOI n-MOSFET的电性能和浮体效应的降解
机译:监测热电子引起的浮体SOI MOSFET的退化
机译:关于SOI“智能切割”体接触MOSFET中AC / DC退化引起的缺陷
机译:完全耗尽的SOI MOSFET中的浮体效应。
机译:浮体MOSFET的充放电动力学泄漏泄漏并激发神经元
机译:使用GIDL电流技术分析薄膜常规和单口袋SOI MOSFET中的浮体效应