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机译:Trench IGBT可靠性评估:低温实验表征
IXL -ENSEIRB -University of Bordeaux 1, France;
机译:大气中子能谱下沟槽式场截止IGBT的可靠性评估
机译:IGBT通过建模和实验测试的可靠性评估
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机译:高功率沟MOSFET(LFET1T)高功率可靠性评估(HPRA)表征和温度监测
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:注意:酶温度活性谱的实验演变:激烈热球菌鸟氨酸鸟氨酸氨基甲酰转移酶的体内选择和低温突变体的表征
机译:评估沟槽IGBT可靠性:低温实验表征