...
机译:电压应力引起的热载流子对SiGe HBT VCO的影响
Electrical and Computer Engineering Department, University of Central Florida, Orlando FL 32826, USA;
机译:用于在动态工作条件下SiGe HBT中热载流子降解的物理和通用老化紧凑模型
机译:混合模式下热载流量降解的统一老化紧凑型模型,互补SiGE HBTs中的反向E-B应力
机译:接近SOA极限的应力条件下SiGe HBT的微观热载流子降解模型
机译:高速SiGe HBT中电压应力引起的热载流子效应的评估和建模
机译:硅锗HBT和VCO中热载流子引起的降解和伽马射线引起的降解。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:热载体诱导降解和γ辐射诱导SiGe HBT和VCO的降解