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机译:MOSFET NBTI退化的全面研究
Philips R&D Crolles, Crolles2 Alliance, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France;
机译:混合浅沟槽隔离对应力Si / SiGe沟道HfSiON / SiO_2 p沟道MOSFET的NBTI退化的机械应力效应的沟道长度依赖性
机译:NBTI的导电AFM纳米级分析和MOSFET中沟道热载流子的降解
机译:NBTI退化表明机械应变对PD SOI p-MOSFET中GIFBE的影响
机译:依赖于漏极偏置的NBTI退化的pMOSFET的可靠性角研究
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:P沟道VDMOSFET中NBTI降解的建模