机译:pMOSFET中氮增强负偏置温度不稳定性的机理
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore;
机译:解析反应扩散模型及氮强化负偏压温度不稳定性模型
机译:体偏置对具有SiON栅极电介质的pMOSFET中负偏置温度不稳定性的影响
机译:具有低温Si2H6钝化功能的锗PMOSFET具有高空穴迁移率和出色的负偏置温度不稳定性
机译:具有高k /金属栅叠层的pMOSFET的负偏置温度不稳定性和退化机理
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:表征pmOsFET的负偏压温度不稳定性和寿命预测