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Temperature compensation of piezoresistive micro-machined porous silico n pressure sensor by ANN

机译:神经网络对压阻微加工多孔硅压力传感器的温度补偿

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摘要

Porous silicon based micro-machined peizoresistive pressure sensors are fabricated and tested in the range of 0-1 bar and temperature range of 25-80℃. The dependence of pressure sensitivity on the variation of ambient temperature is investigated. An intelligent online temperature compensation scheme using ANN technique has been described. The proposed scheme leads to an error reduction of approximately 98% from temperature uncompensated value. A hardware implementation of the proposed scheme using micro-controller is also described.
机译:制作了多孔硅基微机械压阻传感器,并在0-1 bar的温度范围和25-80℃的温度范围内进行了测试。研究了压力敏感性对环境温度变化的依赖性。已经描述了使用ANN技术的智能在线温度补偿方案。所提出的方案使温度未补偿值的误差降低了约98%。还描述了使用微控制器的所提出方案的硬件实现。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics & Reliability》 |2006年第4期|p.343-351|共9页
  • 作者

    C. Pramanik; T. Islam; H. Saha;

  • 作者单位

    IC Design and Fabrication Centre, Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, India;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

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