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机译:铜双镶嵌互连中电迁移引起的漂移速度的直接测量
Internship at Advanced Micro Devices LLC and Co. KG., Dresden, Germany;
机译:双镶嵌铜互连树结构中电迁移破坏机理的直接证据
机译:双镶嵌铜互连结构中电迁移引起的空穴迁移的原位观察
机译:Cu_3Sn涂层对铜双大马士革互连线电迁移寿命提高的影响
机译:双镶嵌铜/低k互连中的电迁移和应力诱导的空隙:空位和应力梯度之间的复杂平衡
机译:IC互连的镶嵌铜的电迁移。
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:基于物理的铜双镶嵌互连电迁移诱导故障模拟