机译:在工作条件下测量MOSFET器件中的瞬态结温度
ETH Zurich, Integrated Systems Laboratory, Zurich, Switzerland;
机译:工作条件下IGBT器件静态和瞬态结温测量的新技术
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机译:器件结构对低温过程FDSOI MOSFET中结泄漏的影响
机译:功率MOSFET的瞬态结温测量值在μs范围内
机译:在源沟道截止条件下工作的DMOS器件中的噪声测量。
机译:房间温度Terhertz天线耦合钻孔SOI基温度传感器的性能比较:MOSFETPN结二极管和电阻器
机译:由于负偏置温度的不稳定性,p-MOSFET器件中的安全工作条件和寿命估算
机译:利用IsE-TCaD软件模拟在低温下工作的功率mOsFET器件