机译:SiC上AlGaN / GaN HEMTS中电致发光钝化缺陷的研究
机译:SiC衬底上基于AlGaN / GaN的HEMT,用于使用不同钝化层的微波特性
机译:SiC衬底上的基于AlGaN / GaN的HEMT,用于使用不同钝化层的微波特性
机译:PE-CVD和T-CVD法在SiC衬底上沉积AlGaN / GaN HEMT的SiN钝化膜的比较
机译:MOCVD在半绝缘SIC基板上生长的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的缺陷和表面性能研究
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:通过低频噪声测量和sIms表征证明siC衬底上alGaN / GaN HEmT的生成 - 复合缺陷